Angstrom 时代即将开始，英特尔最新的路线图显示该公司正在保持“迅猛的步伐”，不仅要保持在正轨上，还要加快交付时间。随着不断缩小的硅与物理量子效应的冲击作斗争，缩小节点变得越来越困难，这就是后纳米时代的切入点。一埃——也就是一纳米被分解成 10 片——将是低于 2 纳米(或 20 埃)的工艺节点的首选术语，并且将是首批使用 ASML 的高 NA EUV 设备首次亮相的工艺(可能是 18A)。然而，更有趣的是，看起来英特尔实际上提前了。

Intel 4nm 工艺今天风险制造，Meteor Lake 2023 年推出?

英特尔透露了另一份路线图汇编信息，该信息已存在于公共领域，并确认其即将推出的 4nm 工艺已准备好制造。值得注意的是，该公司提到节点“准备好制造”的流程与他们预计该流程处于风险生产中的时间线相对应。这意味着 Intel 4 今天处于风险生产阶段。向前推断，这可能意味着[警告：有根据的推测] Meteor Lake不会像某些报道所指出的那样被推迟，而是会在 2023 年的某个时候启动，而不是 2024 年——正如公司最初计划的那样[/有根据的推测]。

最新的英特尔路线图显示 18A 已准备好在 2H 2024 之前进行风险生产，这比计划提前了。

无论如何，该公司还透露，18A 工艺(应该基于 ASML 的高 NA EUV 光刻技术)计划在 2H 2024 之前进入风险生产。然而，在不久的将来最重要的技术飞跃将是发生在 20A 上——这将同时引入 RibbonFET 和 PowerVias。RibbonFET 是一种环栅或纳米片晶体管架构，应该像 FinFET 一样延长摩尔定律的保质期。这将与 PowerVia 背面功率传输相结合，后者是公司技术开发总经理 Ann B Kelleher 领导的另一项技术创新。

“摩尔定律是关于增加功能的集成，”凯莱赫说。“当我们展望未来 10 到 20 年时，将会有一条充满创新的管道”